안녕하세요! Show 저는 공기청정에 대해 관심이 많은 학생입니다. 제가 아는 상식으로는 Glow, Arc, Microwave discharge 등의 방법을 플라즈마를 발생 시킬 수 있는것으로 아는데 감사합니다. -------아래------- 우수한 실내공기질을 지속적으로 보증하기 위한 최상의 방법은 “실시간”으로 실제적으로 이 기술을
실내에 제공함으로써 상호작용에 의한 시너지를 만들어 내는 것입니다. 이 반응 과정은 일반적으로 자외선 파장 범위 내에서 쏟아져 나오는 광자(Photon)의 활용을 반드시 요구합니다. 특히 자외선 빛은 유기체 분자의 전자 사이의 결합을 100-280나노미터 사이의 강력한 에너지로서 붕괴시킬 수 있습니다. 더욱 더 짧은 단 파장일수록 더 많은 광에너지가 발생되고 분자의 결합을 깨뜨립니다. 100-280 나노미터 대역 내의 LJV 파장은 유기체 화합물질의 전자의 결합을 붕괴시키는 것뿐만 아니라 저온 플라즈마 형성을 개시합니다. 일반적으로 방전 플라즈마는 라디오 주파수 에너지(RF)로 가스체에 자기장을 갖게 합니다. 그러나 우리 경우는 자외선 광 파장으로 발생한 에너지를 가지고 가스체에 자기장을 갖도록 만들었습니다. 우리가 만든 높은 에너지를 가진 가스체 상태의 광플라즈마는 높은 에너지를 가진 가스체 상태로 더욱 강화되어 있기 때문에 높은 반응과 들뜬(흥분 상태)상태의 전자와 분자
그리고 이온화된 가스체와 자유로운 전자들을 만들어 냅니다. 기본적으로 파괴의 메커니즘은 산소 분자의 광학적 해리를 이끌어 내어 산소 원자와 단일 산소 분자 그리고 활성화된 산소와 같은 매우 높은 산화력을 지닌 산소 종의 생성과 밀접하게 관련되어 있습니다. LJV 방사는 또한 추가적으로 자유 래디컬을 발생할 수 있도록 유기체 물질의 분자를 결합하는 전자의 분출을 이끌어 냅니다. 이렇게 생성된 래디컬은 산소와 반응하여 과산화수소 이온을 만들어 낼 수 있습니다. 이 수산기(OH)는 쉽게 분해되지 않으면서 1개의 전자를 더 가진 매우 강력한 산화력을 지니고 있습니다. 이때 유기 분자의 붕괴 과정에서 남은 수소 이온(H)은 더욱 더 높은 산화력을 잠재한 채 화학적으로 더욱 더 강력한 수산기(OH)를 유기 오염물질이 존재하는 한 지속적으로 이끌어 낼 수 있습니다. 이러한 전체적인 반응 과정은 연쇄 반응으로 나타나고, 수산기 (OH)로 인해서 오염물질이 붕괴되고, 새로운 수산기(OH)가 형성됨으로써 실내 공기 중의 유기 오염물질을 지속적으로 파괴시킵니다. 분자 상태의 오염물질이 강력한
광 에너지를 받으면 분자 주위의 전자들이 분출되면서 광전자 효과가 만들어 집니다. 이 현상은 분출된 전자가 다른 주위 물질에 충돌하여 이온화하는 복합적인 원인들로 인해 일어난다는 것을 알게 되었습니다. 하나의 예로서 비교한다면 코로나
방전으로 발생한 오존 만으로 물질의 표면에서 생물학적 오염물질을 제거하려면 무려 10시간 이상이 걸립니다. 본 발명은 열 경화형 실리콘계 접착제를 개재하여 반도체 소자가 장착된 기판을 플라즈마 처리하고, 접착제 중에 포함된 실록산 성분을 제거하여, 그 후 신뢰성이 높은 와이어 본딩 등을 행할 수 있도록 하는 것이다. 플라즈마 세정 방법{PLASMA CLEANING METHOD}
본 발명은 챔버 내에 한 쌍의 전극을 배치하여, 진공 상태가 된 챔버 내에 기판을 수납하여, 플라즈마 반응성 가스를 공급함과 동시에, 한쪽의 상기 전극에 고주파 전원에 의해 고주파 전압을 인가하여 상기 반응성 가스를 플라즈마화하여 상기 인쇄 기판을 세정하고, 이 세정한 후의 플라즈마화된 반응성 가스를 장치 밖으로 배출하는 플라즈마 세정 방법에 관한 것이다. 상술하면, 상기 기판은 열 경화형 실리콘계 접착제를 개재하여 반도체 소자가 장착된 것이고, 상기 접착제 중에 포함된 실록산을 제거 세정하는 플라즈마 세정 방법에 관한 것이다. 이 종류의 플라즈마 세정 방법은, 예를 들면 특허문헌 1 등에 개시되어 있지만, 열 경화형 실리콘계 접착제를 개재하여 반도체 소자가 장착된 기판에 대해서는 상기 기판을 경화로(가열로) 내에 넣어 상기 접착제를 경화시킨다. 일본 특허 공개 제2007-123370호 공보 그러나, 접착제를 열 경화시킬 때에 기판의 전극부나 반도체 소자의 본딩 패드부의 표면에 이 접착제 중에 포함된 실록산 성분이 쌓이게 된다. 그러면, 이 실록산 성분은 절연체이기 때문에, 그 후에 행해지는 와이어 본딩 또는 몰드의 신뢰성을 손상시킨다는 문제점이 발생한다. 따라서, 본 발명은 이 열 경화형 실리콘계 접착제를 개재하여 반도체 소자가 장착된 기판을 가열로 내에 넣어 상기 접착제를 경화시킬 때에, 이 접착제 중에 포함된 실록산 성분이 기판 등에 쌓이더라도 실록산 성분을 제거하여, 그 후 신뢰성이 높은 와이어 본딩 또는 몰드를 행할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 반도체 소자 또는 이 반도체 소자가
장착된 기판에 부착된 황도 제거하여, 반도체 소자에 대한 악영향을 방지하는 것도 목적으로 한다. 이 때문에, 제1 발명은 챔버 내에 한 쌍의 전극을 배치하고, 진공 상태가 된 챔버 내에 실리콘계 접착제를 개재하여 반도체 소자가 장착된 기판을 수납하여, 플라즈마 반응성 가스를 공급함과 동시에, 상기 한 쌍의 전극에 고주파 전원에 의해 고주파 전압을 인가하여 상기 반응성 가스를 플라즈마화하여 상기 기판을 세정하고, 이 세정한 후의 플라즈마화된 반응성 가스를 장치 밖으로 배출하는 플라즈마 세정 방법이며, 처음에, 상기 반응성 가스로서 육불화황 가스를 사용하고, 육불화황 가스의 불소가 실리콘계 접착제에 포함되어 상기 반도체 소자의 표면에 부착된 실록산 중의 규소와 합체하여, 이 규소를 제거하고, 이어서, 상기 반응성 가스로서 아르곤 가스를 사용하고, 이 아르곤 가스 중의 아르곤이 상기 반도체 소자 또는 이
반도체 소자가 장착된 기판에 부착된 황을 제거하는 것을 특징으로 한다. 제2 발명은 챔버 내에 한 쌍의 전극을 배치하고, 진공 상태가 된 챔버 내에 전극부가 은 도금으로 제작되고 실리콘계 접착제를 개재하여 반도체 소자가 장착된 기판을 수납하여, 플라즈마 반응성 가스를 공급함과 동시에, 상기 한 쌍의 전극에 고주파 전원에 의해 고주파 전압을 인가하여 상기 반응성 가스를 플라즈마화하여 상기 기판을 세정하고, 이 세정한 후의 플라즈마화된 반응성 가스를 장치 밖으로 배출하는 플라즈마 세정 방법이며, 처음에, 상기 반응성 가스로서 육불화황 가스 및 산소 가스를 사용하고, 육불화황 가스의 불소가 실리콘계 접착제에 포함되어 상기 반도체 소자의 표면에 부착된 실록산 중의 규소와 합체하여 생성된 규소를 포함하는 합성 물질을 제거함과 동시에, 육불화황 가스의 황(S)이 산소 가스(O2)와 합체하여 생성된 황을 포함하는 합성 물질을 제거하고, 이어서, 상기 반응성 가스로서 아르곤 가스를 사용하고, 이 아르곤 가스 중의 아르곤이 상기 반도체 소자 또는 이 반도체 소자가 장착된 기판에 부착된 황을 포함하는 합성 물질을 제거하는 것을 특징으로 한다. 또한, 제3 발명은 제1 또는 제2 발명에 있어서, 상기 챔버의 탈기를 플라즈마 반응 가스를 공급하지 않고 규소 제거 후에 아르곤 가스의 사용 전에 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 열 경화형 실리콘계 접착제를 개재하여 반도체 소자가 장착된 기판을 가열로 내에 넣어 상기 접착제를 경화시킬 때에, 이 접착제 중에 포함된 실록산 성분이 기판 등에 쌓이더라도 실록산 성분을 제거하여, 그 후 신뢰성이 높은 와이어 본딩 또는 몰드를 행할 수 있도록 할 수 있다. 또한, 황을 제거할 수 있기 때문에, 반도체 소자에 대한 악영향을 방지할 수 있다. 또한, 기판의 전극부가 은 도금으로 제작된 기판에 대해서는, 처음에 반응성 가스로서 육불화황 가스를 사용했을 때에 은과 황이 반응하여 황화은이 발생하는 경우가 있었지만, 이 황화은의 발생을 방지하여 도금의 변색의 발생을 방지할 수 있다. 도 1은 플라즈마 세정 장치의 개략도이다. 이하, 도 1을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태에 관한 플라즈마 세정 장치에 대하여 설명한다. 1은 진공 챔버로, 이 진공 챔버(1) 내에는 한 쌍의 평행한 상부 전극(2) 및 하부 전극(3)이 배치된다. 그리고, 이 진공 챔버(1)은 진공 통로(6) 중에 설치된 개폐 밸브(4)를 통해 진공 펌프(5)에 의해 소정의 진공 상태가 된다. 그리고, 그랜드 전위에 접속된 상기 상부 전극(2)를 관통하고, 후술하는 플라즈마 반응성 가스를 공급 통로(20)을 통해, 상부 전극(2)와 하부 전극(3) 사이에 공급한다. 이 하부 전극(3) 상에, 전극부(9)를 구비한 세정해야할 기판(PB)가 배치된다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 이 기판(PB) 상에는 열 경화형 실리콘계 접착제(7)을 개재하여 반도체 소자인 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드) 칩(8)이 장착된다. 또한, 이 기판(PB)는 세라믹 기판이지만, 리드 프레임이나 그 밖의 기판일 수도 있다. 10은, 접지에 접속된 고주파 전원으로, 상기 하부 전극(3)에 자동 정합기(11)을 통해 고주파 전압을 인가하여, 상기 플라즈마 반응성 가스를 플라즈마화시키는 것이다. 그리고, 생성된 플라즈마 중의 양이온이 상기 하부 전극(3) 상의 기판(PB)에 충돌함으로써, 이 기판(PB)의 표면이나 LED칩(8) 표면 등을 스퍼터링하여, 후술하는 오염 물질을 제거, 세정한다. 13은, 마이크로 컴퓨터 등으로 구성되는 제어 장치로, 상기 고주파 전원(10), 그 밖의 구동원 등을 제어하여, 본 플라즈마 세정 장치를 통괄 제어한다. 14는 각종 데이터를 저장하는 기억 장치, 15는 인터페이스(17)을 통해 제어 장치(13)에 접속되는 표시 장치로서의 모니터, 이 모니터(15)에는 입력 수단으로서의 여러 가지 터치 패널 스위치(16)이 설치되고, 작업자가 터치 패널 스위치(16)을 조작함으로써, 여러 가지 설정을 행할 수 있다. 그리고, 제어 장치(13)은 인터페이스(17) 및 구동 회로(18)을 통해 상기 개폐 밸브(4), 진공 펌프(5), 가스 봄베(19)로부터 아르곤 가스(Ar 가스)가 공급되는 공급 통로(20) 중에 설치된 개폐 밸브(21), 가스 봄베(22)로부터 육불화황 가스(SF6)가 공급되는 공급 통로(20) 중에 설치된 개폐 밸브(23) 등의 구동을 제어한다. 24, 25는 흐르는 반응성 가스의 양을 계측하는 유량계로, 상기 각 공급 통로(20)에, 가스 봄베(19)와 개폐 밸브(21) 사이, 가스 봄베(22)와 개폐 밸브(23) 사이에 배치된다. 여기서, 열 경화형 실리콘계 접착제(7)을 개재하여 LED칩(8)이 장착된 상기 기판(PB)는 경화로(가열로) 내에 수납되고, 경화된 실리콘계 접착제(7)에 의해 LED칩(8)은 기판(PB) 상에 고정된다. 이 경화의 때에, 기판(PB)의 전극부(9)나 LED칩(8)의 본딩 패드부의 표면에 이 접착제 중에 포함된 실록산 성분이 쌓이게 되는 것이다. 그러면, 이 실록산 성분은 절연체이기 때문에, 그 후에 행해지는 LED칩(8)과 기판(PB)의 전극부(9)의 접속을 위한 와이어 본딩의 신뢰성을 손상시킨다는 문제점이 발생한다. 따라서, 이 플라즈마 세정 장치로써 실록산 성분을 제거하는 것이며, 본 발명의 제1 실시 형태의 세정 처리에 관하여 이하에 설명한다. 우선, 모니터(15)에 터치 패널 스위치(16)의 가압 조작에 의해, 도 3에 나타낸 바와 같은 플라즈마 세정 처리의 레시피 설정 화면을 표시시키고, 입력키로서의 숫자키 스위치부를 표시시키고, 각종 데이터를 입력하여 레시피를 설정한다. 즉, 플라즈마 에칭을 행하는 레시피 번호 「1」의 제1 스텝으로서, 공급하는 아르곤 가스(「Ar」라 표시함)를 「0」으로서, 공급하는 육불화황 가스(「SF6」라 표시함)를 「20(1분간 당 20 cc의 의미)」로 하고, 플라즈마 세정할 때의 개시 압력을 「20(Pa)」로 하고, RF 전원 출력 파워를 「600(W)」로 하고, 플라즈마 처리 시간을 「60(초간)」으로 하고, RF 방식을 RIE(Reactive Ion Etching; 반응성 이온 에칭) 처리로 하고, 스퍼터링을 행하고, 그 후 제2 스텝까지의 간격을 「0005(5초간)」라고 입력한다. 또한, 제2 스텝으로서, 공급하는 아르곤 가스(「Ar」라 표시함)를 「5(1분간 당 5 cc의 의미)」로서, 공급하는 육불화황 가스(「SF6」라 표시함)를 「0」으로 하고, 플라즈마 세정할 때의 개시 압력을 「20(Pa)」로 하고, RF 전원 출력 파워를 「600(W)」로 하고, RF 방식을 RIE(Reactive Ion Etching) 처리로 하고, 플라즈마 처리 시간을 「0020(20초간)」이라고 입력한다. 이하 동일하게, 레시피 번호 「2」, 「3」의 제1 스텝 및 제2 스텝의 필요 사항을 입력하지만, 여기서는 생략한다. 이와 같이 하여, 레시피 번호 「1」, 「2」, 「3」의 필요 사항을 입력한 후에, 터치 패널 스위치(16)의 데이터 갱신 스위치부(16A)를 압압 조작하면, 제어 장치(13)은 처음에 설정 입력거나 또는 갱신 입력한 레시피 데이터를 기억 장치(14)에 저장시키고, 또한 입력 종료 스위치부(16A)를 압압 조작하면, 이 레시피 설정 화면을 폐쇄하도록 제어한다. 이상의 구성으로부터, 이하 동작에 관하여 설명한다. 우선, 설정된 플라즈마 세정 처리의 레시피를 선택하기 위해 모니터(15)에, 도 4에 나타낸 선택 화면을 표시시키고, 레시피 번호 「1」을 선택하기 위해, 터치 패널 스위치(16)의 대응하는 체크·박스 스위치부(16C)를 압압 조작하여 체크·마크(レ)를 붙인다. 그리고, 운전 개시 스위치(도시 생략)를 조작하여, 본 플라즈마 세정 장치의 운전을 시작시킨다. 이렇게 하면, 처음에 제어 장치(13)은 개폐 밸브(4)를 개방하여 진공 펌프(5)를 구동시키고, 진공 챔버(1)을 소정의 진공 상태로 하여, 고주파 전원(10)으로부터의 고주파 전압을 하부 전극(3)에 자동 정합기(11)을 통해 고주파 전압을 인가하도록 제어한다. 또한, 개폐 밸브(23)을 개방하고, 상부 전극(2)를 관통하여, 이 상부 전극(2)와 하부 전극(3) 사이에 제1 스텝의 플라즈마 반응성 가스인 육불화황 가스를 가스 봄베(22)로부터 유량계 25로 계측하면서 1분간 당 20 cc분 공급하여 플라즈마화한다. 이 경우, 육불화황 가스가 소정의 유량으로 진공 챔버(1) 내에 공급되고, 소정의 진공압을 유지하도록 개폐 밸브(4)를 개방하여, 항상 배기하게 되어 대략 일정 농도의 육불화황 가스가 진공 챔버(1) 내를 채우고 있다. 그리고, 기판(PB)의 표면 및 LED칩(8) 표면 등을 에칭하여, 오염 물질을 제거, 세정한다. 즉, 기판(PB)를 경화로(가열로) 안에 수납하고, 실리콘계 접착제(7)을 경화하여, LED칩(8)을 기판(PB) 상에 고정하지만, 이 경화의 때에, 기판(PB)의 전극부(9)나 LED칩(8)의 본딩 패드부의 표면에 상기 접착제(7) 중에 포함된 실록산 성분이 쌓이지만, 경화로에서 취출한 LED칩(8)을 고정한 기판(PB)를 진공 챔버(1) 내에 넣고, 상기 반응성 가스로서 육불화황 가스(SF6)를 사용하여, 육불화황 가스의 불소(F)가 실록산 성분 중의 규소(Si)와 합체하여 불화규소(SiF)를 생성하고, 이 불화규소는 진공 통로(6)을 통해 장치 외부로 배출된다. 이 경우, 육불화황 가스의 공급과, 규소와 불소의 합성 물질(불화규소)의 진공 통로(6)을 통한 배출과는 평행하게 항상 행해진다. 레시피 번호 「1」의 세정 처리에서는 이러한 육불화황 가스를 공급하면서, 플라즈마화하여 세정하고 장치 외부로 배출하는 플라즈마 세정 처리의 제1 스텝은 60초간 행해지고, 이 제1 스텝 종료에서부터 5초 경과하면, 다음에 제2 스텝의 플라즈마 세정 처리가 20초간 행해지게 된다. 그리고, 육불화황 가스 중의 불소가 규소와 합체하여 가스상의 불화규소(SiF)를 생성하고, 황(S)은 남아서 LED칩(8)을 포함시킨 반도체 소자 및 기판(PB) 등에 부착된 상태가 된다. 따라서, 처음에 개폐 밸브(23)을 폐쇄하여 제1 스텝이 종료되고 나서 5초간, 진공 챔버(1) 내의 제1 스텝에서 사용한 반응성 가스를 포함하는 각종 가스를 진공 통로(6)을 통해 장치 외부로 배출시킨다(개폐 밸브(4)는 열린 상태). 즉, 플라즈마 반응 가스를 공급하지 않고 상기 진공 챔버(1)을 탈기한다. 그리고, 이 탈기를 5초간 행하고, 이 5초 경과 후에 개폐 밸브(21)을 개방하여, 상부 전극(2)와 하부 전극(3) 사이에 제2 스텝의 플라즈마 반응성 가스인 아르곤 가스(Ar)를 가스 봄베(19)로부터 유량계(24)로 계측하면서, 1분간 당 5 cc분 공급하여 플라즈마화한다. 그리고, 생성된 플라즈마 중의 양이온이 상기 하부 전극(3) 상의 기판(PB)에 충돌함으로써, 기판(PB)의 표면 및 LED칩(8) 표면 등을 스퍼터링하여, 오염 물질을 제거, 세정한다. 즉, 아르곤 가스의 아르곤(Ar)이 LED칩(8)을 포함시킨 반도체 소자 및 기판(PB) 표면 등에 부착되어 있는 황 및 그 밖의 유기물 성분 등(탄소, 산소 등)을 제거하고, 제거된 황 및 그 밖의 유기물 성분 등이 진공 통로(6)을 통해 장치 외부로 배출된다(개폐 밸브(4)는 열린 상태). 그리고, 이러한 플라즈마 처리의 제2 스텝은 20초간 행해진다. 따라서, 이 제2 스텝에서는 특히 LED칩(8)에 악영향을 제공하는 황을 제거할 수 있다. 이상과 같이, 기판(PB)를 경화로(가열로) 내에 수납하여 실리콘계 접착제(7)을 경화하여, LED칩(8)을 기판(PB) 상에 고정하지만, 이 경화의 때에, 기판(PB)의 전극부(9)나 LED칩(8)의 본딩 패드부의 표면에 상기 접착제(7) 중에 포함된 실록산 성분이 쌓이게 된다. 그러면, 이 실록산 성분은 절연체이기 때문에, 종래에는 그 후에 행해지는 와이어 본딩의 신뢰성을 손상시키는 문제점이 발생하였지만, 본 발명은 실록산 성분을 제거할 수 있어서, 신뢰성이 높은 와이어 본딩을 행할 수 있다. 또한, 제1 스텝의 육불화황 가스의 공급으로부터 제2 스텝의 아르곤 가스의 공급에의 변환의 때에는 반드시 간격을 둘 필요는 없다. 즉, 제1 스텝 후에, 탈기만 하는 기간을 두지 않고서, 제2 스텝을 이행할 수 있다. 이상과 같은 세정 처리의 제1 실시 형태는 기판(PB)의 전극부(9)가 은 도금이나, 금 도금, 팔라듐 도금 등의 도금으로 제작된 경우에도 적용할 수 있다. 그러나, 기판(PB)의 전극부(9)가 은 도금으로 제작되어 있는 경우에는, 상술한 제1 스텝에서의 육불화황 가스의 사용 시에, 어떻게 해도 황이 기판(PB)에 남아있어서, 이 황과 기판(PB)의 전극부(9)의 은 도금이 반응하여 황화은(AgS)이 약간 생성되기 때문에, 이 황화은에 의해 도금이 변색된다는 문제가 발생하는 경우가 있었다. 이 때문에, LED칩(8)에 의한 조명이 황색빛으로 되는 문제가 발생한다. 따라서, 이 문제를 해소하는 제2 실시 형태에 관하여, 이하에 설명한다. 이 실시 형태에서는 플라즈마 에칭을 행하는 제1 스텝에서, 플라즈마 반응성 가스로서 육불화황 가스(SF6)와 더불어 산소 가스(O2)도 사용한다. 그러면, 육불화황 가스의 불소(F)가 상술한 바와 같은 기판(PB)의 전극부(9)나 LED칩(8)의 본딩 패드부의 표면에 쌓인 실록산 성분 중의 규소(Si)와 합체하여 합성 물질인 가스상의 불화규소(SiF)가 생성됨과 동시에, 육불화황 가스의 황이 산소 가스(O2)와 합체하여 합성 물질인 가스상의 이산화황(SO2)이 생성된다. 따라서, 황과 기판(PB)의 전극부(9)의 은 도금이 반응함으로써 황화은(AgS)이 생성되는 것이 방지되기 때문에, 이 황화은에 의해 도금이 변색되는 것이 방지된다. 또한, 기판(PB) 상의 전극부(9)에 부착되어 있는 그 밖의 유기물 성분인 탄소(C)가 산소 가스(O2)와 합체하여 가스상의 이산화탄소(CO2)가 생성되거나, 수소(H)가 산소 가스(O2)와 합체하여 수증기(H2O)가 생성된다. 그리고, 개폐 밸브(23)을 폐쇄하여 이 제1 스텝이 종료되고 나서 소정 시간, 진공 챔버(1) 내의 제1 스텝에서 사용한 반응성 가스, 및 상술한 각종 가스를 진공 통로(6)을 통해 장치 외부로 배출한다(개폐 밸브(4)는 열린 상태). 즉, 플라즈마 반응 가스를 공급하지 않고 상기 진공 챔버(1)을 탈기한다. 그리고, 이 탈기를 상기 소정 시간 행한다. 이 제1 스텝의 처리를 행하면, 잔사로서 전극부(9)를 포함시킨 기판(PB) 표면이나 LED칩(8)을 포함시킨 반도체 소자 표면에 탄소(C), 산소(O), 수소(H), 황(S), 인(P) 등이 약간 남게 된다. 그리고, 스퍼터링을 행하는 제2 스텝으로서, 상기 소정 시간 경과 후에, 개폐 밸브(21)을 개방하고, 상부 전극(2)와 하부 정극 3 사이에 제2 스텝의 플라즈마 반응성 가스인 아르곤 가스(Ar)를 소정량 공급하여 플라즈마화한다. 그리고, 생성된 플라즈마 중의 양이온이 상기 하부 전극(3) 상의 기판(PB)에 충돌함으로써, 기판(PB)의 표면 및 LED칩(8) 표면 등을 스퍼터링하여, 오염 물질을 제거, 세정한다. 즉, 아르곤 가스의 아르곤(Ar)이 전극부(9)를 포함시킨 기판(PB) 표면이나 LED칩(8)을 포함시킨 반도체 소자 표면 등에 부착되어 있는 황(S), 및 그 밖의 유기물 성분 등(탄소, 산소, 수소 등)을 제거하고, 제거된 황 및 그 밖의 유기물 성분 등이 진공 통로(6)을 통해 장치 외부로 배출된다(개폐 밸브(4)는 열린 상태). 그리고, 이러한 플라즈마 처리의 제2 스텝을 소정 시간 행함으로써, 이 제2 스텝에서는 특히 LED칩(8)에 악영향을 제공하는 황을 완전히 제거할 수 있다. 또한, 이상의 제2 실시 형태에서는 플라즈마 반응성 가스로서 육불화황 가스(SF6)와 산소 가스(O2)를 제1 스텝에서 사용하지만, 황(S)과 산소 가스(O2)는, 모두 남기지 않도록 등량으로 하는 것이 바람직하지만, 황(S)을 전극부(9)를 포함시킨 기판(PB) 표면이나 LED칩(8)을 포함시킨 반도체 소자 표면에 남기지 않기 위해서는, 산소 가스가 약간 많은 쪽이 좋다. 황(S)이 완전히 제거되고, 소량 남은 산소는 표면에 부착되어 있는 유기물 성분인 탄소(C)나 수소(H)와 반응하여, 이 반응물인 이산화탄소(CO2) 및 수증기(H2O)가 배출됨으로써 제거된다. 또한, 상기 제2 실시 형태에서는 플라즈마 반응성 가스로서 육불화황 가스(SF6)와 산소 가스(O2)를 제1 스텝에서 사용하였지만, 사불화탄소 가스(CF4)와 산소 가스(O2)를 사용할 수도 있다. 이 경우, 사불화탄소 가스(CF4)의 불소(F)가 상술한 바와 같은 기판(PB)의 전극부(9)나 LED칩(8)의 본딩 패드부의 표면에 쌓인 실록산 성분 중의 규소(Si)와 합체하여 합성 물질인 가스상의 불화규소(SiF)가 생성됨과 동시에, 사불화탄소가스(CF4)의 탄소(C)가 산소 가스(O2)와 합체하여 합성 물질인 가스상의 이산화탄소(CO2)가 생성된다. 그리고, 이 제1 스텝이 종료되고 나서 소정 시간, 진공 챔버(1) 내의 제1 스텝에서 사용한 반응성 가스, 및 상술한 각종 가스를 진공 통로(6)을 통해 장치 외부로 배출한다(개폐 밸브(4)는 열린 상태). 즉, 플라즈마 반응 가스를 공급하지 않고 상기 진공 챔버(1)을 탈기한다. 그리고, 이 탈기를 상기 소정 시간 행한다. 따라서, 사불화탄소 가스(CF4)의 불소(F)가 상기 기판(PB)의 전극부(9)나 LED칩(8)의 본딩 패드부의 표면에 쌓인 실록산 성분 중의 규소(Si)와 합체하여 가스상의 불화규소(SiF)를 생성하고, 이것을 장치 외부로 배출할 수 있다. 다음에, 이 제1 스텝 종료 후의 상기 소정 시간 경과 후에, 제1 및 제2 실시 형태와 동일하게, 상부 전극(2)와 하부 전극(3) 사이에 제2 스텝의 플라즈마 반응성 가스인 아르곤 가스(Ar)를 소정량 공급하여 플라즈마화시킨다. 그리고, 생성된 플라즈마 중의 양이온이 상기 하부 전극(3) 상의 기판(PB)에 충돌함으로써, 기판(PB)의 표면 및 LED칩(8) 표면 등을 스퍼터링하여, 오염 물질을 제거, 세정하여, 이 제2 스텝의 종료 후에, 소정 시간, 진공 챔버(1) 내의 제1 스텝에서 사용한 반응성 가스, 및 상술한 각종 가스를 진공 통로(6)을 통해 장치 외부로 배출한다(개폐 밸브(4)는 열린 상태). 이상과 같이 본 발명의 실시 양태에 관하여 설명하였지만, 상술한 설명에 기초하여 당업자로서는 여러 가지 대체예, 수정 또는 변형이 가능하면서, 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 상술한 여러 가지 대체예, 수정 또는 변형을 포함하는 것이다. 1 진공 챔버 Claims (3)
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O2 플라즈마시에 유기물 제거는 어떻게
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